全球GaN产业现状

GaN（氮化镓）具有击穿场强高、饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、化学稳定性好等优异性能，适用于光电子、功率半导体、高频微波射频等领域. 实现组件製造。这使得 GaN 成为 LED、变压器、资料中心、5G 通讯和电动车等应用的理想选择。

GaN 晶体生长高度依赖 GaN-Si、SiC 和蓝宝石以外的基板。本报告分析了GaN产业的详细趋势，重点在于GaN功率元件、微波射频元件和原料。

TRI 致力于广泛的主题，包括半导体、电信、物联网、汽车系统、人工智慧、新兴技术的应用以及主要区域市场（美国、欧洲、日本、韩国、中国、台湾）的最新趋势等） 。这是一家研究公司。成立于1996年，2015年併入集邦咨询旗下。TRI的服务因对新兴科技产业和区域发展趋势的准确理解而受到各类组织的高度评价。

本报告提供了 TRI 对 GaN 产业现状的看法。

目录

第1章 GaN电力零组件的目前趋势

第2章 GaN微波RF零组件的目前趋势

第3章 GaN基板和磊晶材料的目前趋势

第4章 TRI的见解

GaN, with its superior properties such as high breakdown field strength, high saturation electron drift velocity, strong radiation resistance, and good chemical stability, enables the manufacture of optoelectronics, power semiconductors, and high-frequency microwave RF components. This makes GaN ideal for applications including LEDs, transformers, data centers, 5G communications, and EVs.

Growing GaN crystal largely depends on substrates other than GaN-Si, SiC, and Sapphire. This report provides a detailed breakdown of the GaN industry, with a focus on GaN power components, microwave RF components, and raw materials.

TABLE OF CONTENTS

1. Current Development of GaN Power Components

2. Current Development of GaN Microwave RF Components

3. Current Development of GaN Substrates and Epitaxial Materials

4. TRI's View